砷化镓

化学式GaAs。一种重要的化合物半导体材料。由镓和砷在高温和一定的砷蒸气压下经人工合成的深灰色立方晶体。高毒性。熔点1 238℃。同锗、硅相比，其禁带宽度和电子迁移率较大，故制成的器件有较好的频率特性和耐高温特性。许多微波半导体器件，如变容二极管、金属-半导体二极管、体效应管和场效应晶体管等都可用它来制造。此外其发光特性好，光电转换效率高，也是制作半导体激光器、微波体效应器件等的合适材料。也可用于制半导体温度计、太阳能电池等。还广泛用于雷达、电子计算机、宇宙飞船等方面。