砷化铟

化学式InAs。一种化合物半导体材料。为有似金属外观的单晶。高毒性。熔点943℃。不溶于酸。由铟和砷在高温下合成并拉制而成。具有比砷化镓高的迁移率。用于制较好温度特性的霍耳元件，也是磁阻元件的主要材料。