“磁泡畴”的简称。弱铁磁物质薄膜中经外磁场作用形成的一种圆柱状*磁畴。其磁化方向与泡外薄膜的磁化方向相反。圆柱的直径为几微米至几十微米，其大小决定于磁畴壁能、磁泡的静磁能和磁泡在外磁场中的势能等因素。正铁氧体、石榴子石以及六方晶系和非晶质钆-钴合金等物质制成的薄膜中都可借助控制外偏磁场，使磁泡在薄膜内产生、消失、分裂、传递和相互作用，从而使它具有存储、逻辑、开关和计数等功能。一般可用作电子计算机的记忆元件，称为“磁泡存储器”。
